作者：宪瑞

　　上周末国内最大的晶圆代工厂中芯国际发表了 Q2 季度财报，当季营收 7.91 亿美元，环比增长 18.2%，同比减少 11.2%；毛利为 1.51 亿美元，环比增长 23.8%，同比减少 30.6%；公司拥有人应占利润为 1853.9 万美元，环比增长 51.1%，同比减少 64.1%。

　　在全球半导体市场进入熊市周期，而且中芯国际缺乏先进工艺的情况下，Q2 季度取得环比大幅增长已属不易，而中芯国际未来最重要的任务除了改善盈利之外就是突破先进半导体制造工艺，目前已量产的 28nm 工艺相比台积电、三星要落伍三四代了，而且代工成本上也没优势。

　　在先进工艺上，中芯国际的策略就是 28nm 工艺不会再扩产了，但是会从 28nm Bulk 工艺升级到更有优势的 28nm HKC+ 工艺，主要用于 API、IoT、机顶盒、IPTV 等产品中。

　　下一个重要节点是 14nm 及改进型工艺 12nm，中芯国际表示 14nm 已经进入客户风险量产阶段，目前流片数量 10 多个，今年秋季会正式量产，年底贡献有意义的营收，不过大规模量产还要到 2021 年。

　　14nm 之后还有改进型的 12nm FinFET 工艺，根据中芯国际之前介绍，该工艺相比 14nm 晶体管尺寸进一步缩微，功耗降低 20%、性能提升 10%，错误率降低 20%。

　　目前 12nm 工艺已经进入了客户导入阶段，进展顺利，预计年底会有多个芯片流片验证。

　　14/12nm 工艺是中芯国际第一代 FinFET 工艺，第一阶段中其产能会从 3K 晶圆/月逐步提升到 6K、9K、15K/月，超过 15K/月之后产能就不少了。

　　14/12nm 工艺会是国内最先进的工艺，但是与台积电三星相比依然要落后至少两代，中芯国际还会有N+1 第二代 FinFET 工艺追赶先进水平。虽然中芯国际一直没有确认第二代 FinFET 工艺会是 10nm 还是直接进入 7nm，但从之前订购 ASML 的 EUV 光刻机来看，中芯国际应该会跳过 10nm 节点，毕竟 10nm 节点本来也是低功耗方向的，而 7nm 节点才是长期存在的高性能低功耗节点，意义更加重大。

　　N+1 FinFET 节点会是中芯国际的第二阶段，预计 2020 年底会有试验产能，不仅是有N+1，还会有更先进一代的N+2 节点。

　　总之，如果进展顺利的话，那么 2020 年底国内可能会有 7nm 工艺风险试产，这时候依然是追赶台积电三星的水平，但差距会缩短到一代左右。

　　实际上，在拥有了 14nm、7nm 生产能力之后，国内的芯片公司就能大幅减少被卡脖子的可能了，特别是国产的龙芯、兆芯之类的处理器，这个时间节点就在 2020 年底了。