首先论述了基本原理，因为首先总结了很多基本原理，所以这个位置比较粗略。
1、基本原理
由图可知，Vt为导通电压，在n沟道的cmos中，当施加于栅极的电压逐渐变大时，多个载流子被栅极吸引，向上移动而形成n型沟道，n型半导体导通，流动导通电流。 施加在开始流过导通电流的栅极上的电压称为导通电压，随着导通电压的增大，电流逐渐变大。 这是cmos管的基本原理。
从cmos管迁移到nandflash :
与cmos不同，栅极附近有浮栅，浮栅两侧有氧化层。
在写入时，通过施加充分的栅极电压，利用氧化层的隧道效应，通过将电子打入浮置栅极，能够完成写入0的工艺
擦除时，通过施加反向电压同样利用隧道效应从氧化层发出电子，可以完成擦除功能。
阅读时，浮置栅极中有电子，因此有反向电场，此时导通电压增大。 阅读时具有该特性，如果向栅极提供大于导通电压的电压值，则通道导通，流过导通电流。 可以用导通电流分析是否为0。
从该图可知，以mlc为例，如何读取mlc的数据呢？ 同样，如前面的探测电压那样，通过阶段性的探测电压检测三个阈值，如果探测电压有电流检测，则表示是什么样的数据值，这就是单元多位的读出动作原理。
三种方法读写擦除与PE比较：
由该图可知，tlc主要写入慢，但存储密度大； slc读写速度慢，但密度小。
字线和位线的原理，已经说过了，但这里不太说明。
从该图可以看出，nandflash的最坏的点是异地更新(out-of-placeupdate )
异地更新是什么？
更新某个page的数据时，我们不能直接像这个page一样写。 这个page不是空白页，所以已经写好了。 此时，我们只能将此page复制到其他空白页，测试此block，然后进行刻录。 之所以非常不便，是因为有数据更新写入时复制到异地，清除后再写。
责任编辑：抄送
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