芯片可靠性测试标准(芯片可靠性验证项简单汇总

1 .芯片形态晶片wafer -芯片粒子die -封装片package

wafer生产后,经过CP测试,标记Good die后进行切割、封装,得到封装芯片。 也就是说,这是我们常用的芯片形态,芯片经过FT测试后包装发货。

并在芯片设计和开发过程中大量验证芯片,保证芯片的功能、性能、可靠性没有问题进行批量生产。

2 .电可靠性ESD ESD:HBM/CDM/MM

EOS:power pin/productexternalpin

TLP

Latch-up

3 .寿命可靠性HTOL工作条件(消费类)芯片接合温度(近似表面温度) 125度,工作电压设定为芯片spec上限。

HTOL168

日立500

HTOL1000

4 .工艺偏差TTCorner TT和SS/FF/SF/FS 4种Corner在高低温/高低压环境下进行CP/FT测试,分析芯片数据。

典型的Corner是指PMOS和NMOS的工艺偏差,有时会导入电阻电容器的偏差进行验证。

5 .软件包可靠性PreCON/bHAST/TCT/等

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风君子

独自遨游何稽首 揭天掀地慰生平

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