SRAM存储器芯片是静态型随机存取存储器。 是一种具有静态访问功能的存储器芯片，不需要更新电路即可保存内部存储的所有数据。 SRAM内存芯片主要用于高速缓存小的系统和功耗要求高的系统。 例如，许多8位单片机由于可支持的RAM存储器小，所以内部缓存不足； 或者16位MCU，对应的RAM较大，但要求低功耗，无法使用DRAM的系统。 那么，怎么设计SRAM存储卡呢？
随机存取存储器板
1 .地址缓冲器在提供给存储器的sa0~sa15地址上追加人缓冲区。 缓冲器可以使用74ls244，但741ls245因为布线简单，所以可以在74ls245中单向使用。 2 .数据缓冲器使用74ls245来接收，因为需要双向地执行数据。 保持栅极打开，通过向存储器芯片的读取信号进行方向控制。 这次采用了将pld上存储器的读取信号设定为仅在cs1有效时输出的方法。 3.Pld(memdec ) LD被应用于向存储器生成芯片选择、de及we信号。 芯片选择信号在更新周期以外，地址上位(sa16(sa19 )为dh )且bale为低电平时被选择。 将存储器芯片的读/写信号设定为芯片选择和smemr/smemw有效时输出。 4 .各部分的电源切换、电池各部分的重点在于电源的切换和芯片选择信号的控制。 这次为了简单，只取得vcc和电池(向cn2提供3.6v的电池)的二极管or，但需要注意二极管正向电压降。 如果电源电压远远低于供给的电压，有时会超过操作电压，或者输入端子的电压会高于电源电压。 5 .芯片选择控制为了电池备份，必须使存储器的芯片选择信号无效。 此次只通过ce1进行控制，但是为了保持低损耗电流，ce1必须保持接近电源电压的值(cy62l28为vcc-0.2v以上)。 为了进行片控制，由电源监视IC– ADM 708 (模拟设备)和74hc系列的cmos门构成电路。 静态随机存取存储器(SRAM )多年来被广泛应用于各种场合。 在需要高速访问数据的APP应用程序中，特别是在需要较短的初始访问等待时间的情况下，考虑使用SRAM已成为一种常识。 历史上SRAM存储器芯片市场曾数次起伏，但大多情况下，整个存储器芯片市场的需求量会因新的SRAM APP而暴涨。