OVP电路在电路设计的时候经常遇到，今天和大家分享这个原理和仿真：
原理图如下。
简单原理：通过P-MOS导通，晶体管负责过电压保护，切断MOS管导通，停止输出电压的原理。
主要设备和作用：
1、R1和R2负责过电压条件下的晶体管导通
2、D1是齐纳二极管
3、R3和R4负责正常电压下的MOS导通
4、R5和LED1作为电源的指示灯
这张图中我的结构如下。
保护电压上限设置为12V，选择对应的12V稳压管D1，晶体管Q1=2N3702/8550、R1=2.2K、R2=4.7K，MOS的GS导通电压根据手册为4.5V，所以我在PR3。 该点的电压大于4.5V即可，PR3点的电压计算公式为ui*RR，因此在此配置2个10K电阻。
根据该布置，在输入电压小于12V的情况下，D1没有被破坏，而是处于截止状态，因此晶体管Q1的R1和R2被上拉到电源Ui，成为截止状态，MOS通过R3、R4分压满足导通条件而导通。
另一方面，在输入电压大于12V的情况下，齐纳二极管反向击穿，电压稳定为12V，Q1达到导通条件而开始导通，但MOS管GS相当于短路，此时不输出Uo。 下图：