5 月 19 日消息，据《Nikkei Asia》报道，瑞萨半导体今日宣布将进军 SiC 功率半导体的消息，预计将在日本群马县的高崎工厂进行生产。
瑞萨社长柴田英利表示，虽然瑞萨较晚进入 SiC 功率半导体市场，但是之前瑞萨在硅基 IGBT 领域等也是较晚投入，现在产品性能已受到市场肯定，SiC 功率半导体也有望复刻 IGBT 领域的途径。他同时指出，瑞萨进军投入 SiC 功率半导体之后，日本在 SiC 功率半导体的市场占有率都有望进一步增长。
查阅相关调研报告获悉，SiC 功率半导体在 2021 年市场规模高达 1400 亿日元（备注：当前约 71.26 亿元人民币），预计到 2030 年将扩大到 3.4 万亿日元（当前约 1730.6 亿元人民币）。目前该领域主要玩家包括三菱电机、罗姆半导体、意法半导体和英飞凌等。瑞萨在财报中指出，来自中国、欧洲等地区旺盛的电动车消费推高了对 SiC、IGBT 等功率半导体的需求。
此外，瑞萨决定重新启用于 2014 年关闭的山梨甲府工厂以生产 IGBT，已完成进行 12 寸晶圆产线的生产设备投资，预计 2024 年上半年量产。瑞萨表示，电动车用 IBGT 领域瑞萨已有 10% 份额，甲府工厂投产后有望进一步扩大市场占有率。