为什么signoff电压会有正负10%的区间范围
对于初学者来说，可能会有这样的问题，为什么我们signoff的时候，电压范围是标准电压上下10%浮动呢？答案可能并非想象中那么简单，本文在此尝试回答这个问题。
原因1：电压降
因为有电压降的存在，我们知道，即使我们能够保证供电电压准确保持在标准电压（例如 0.8v），在芯片内部实际是比0.8v更低的电压，而这个电压在芯片不同的位置，电压也是不同的。靠近电源的地方，电压就高一些。远离电源的地方，电压就会更低。想象一下，如果芯片在这种低电压下（0.72）都能保证没有问题，能够signoff，那么实际的芯片正常工作（0.8v）时，即使考虑到电压降的影响（电压降≤10%），也可以保证没有问题了。
那么问题来了：如果是电压降的原因，我们为什么还需要signoff +10%
另外还有一个常见的现象：芯片生产回来测试，我们往往会发现，芯片的供电即使在signoff的低电压下仍然能够达到仿真所需的性能指标。然而考虑到电压降，芯片内部是无法达到signoff的电压的。考虑到这种现象，笔者认为，电压降所需的的margin应当已经涵盖在那些derating的设置中的。
当然，如果我们实际应用中，可以保证芯片能够在不低于标准电压0.8v，而且我们的电压降不超过10%的范围，那么，是完全可以不用加入额外的margin来corver电压降的。
在此，以TSMC提供的28nm的0.9v signofff标准来证明这样的理解：
图中的V margin即为电压降所需的额外的margin。如果芯片需要在ss 0.91v下正常工作，则需要增加额外的V margin。
原因2：供电电压
芯片的供电电压，在实际中其实就是一个波动范围。
例如，对于大规模的GPU来说，耗电量惊人，不可能使用PMU来供电，而是直接通过电源来供电。这种情况下，电压范围变化就会很大，而这个电压变化，是需要通过10%的电压变化范围。
一般来说，比较好的PMU的精度达到0.1v是没有问题的。在这种情况下，笔者认为signoff电压其实是可以减小的，从而进一步减少研发时间和成本。
但是一般来说了，也不会这么做，因为这涉及到定制的单元库。而定制单元库，一是难度大，另外风险也比较大。另外一个成熟的工艺库，也是需要通过多次流片来验证的。
对于一些超低电压的应用，由于电压的降低，会导致cell的variation急剧增大。所以在这种情况下，foundary甚至会提供与标准电压相同的ss corner的库。例如0.4v，如果按照±10%理论，需要在ss corner下达到0.36v，该电压下，cell的derating甚至导致timig无法signoff。
另外还有一些应用，电压范围可能超出10%的范围，这时候就必须增加额外的电压corner保证这部分电压范围芯片能正常工作。
因此，芯片实际应用千差万别，但是，供电电压，必须是一个范围。
原因3：性能提升
有了＋10%的电压，对于芯片来说，也就有了通过提升电压进而提升性能的理论基础。
同理，有了-10%的电压，芯片也可以通过降低电压来降低功耗。
原因4：工艺库
因为foundary提供的工艺库，需要考虑绝大部分的应用需求，所以会有不同的标准电压以及±10%的电压范围的单元库。而为什么是10%而不是12%，笔者认为这也是一种约定俗成。可以想象，如果没有这个约定俗成，IP vendor可能提供±12%， 单元库vendor提供±10%， 那么对于芯片设计者来说，无异于噩梦。
虽然EDA公司提供了单元库做电压scaling的方法，但是一般仅仅作为标准signoff条件下的补充。
总结
±10%，是一种业界约定俗成的默契。但是signoff需要考虑芯片实际应用，以及所拥有的单元库本身的电压范围。
如果芯片应用的电压变化范围小于10%，那么就使用正负10%进行signoff。
如果芯片应用的电压变化范围大于10%， 那么就需要增加额外电压的corner进行signoff。
如果希望芯片在-10%电压下仍能达到所需要的性能，则需要保证margin中包含电压降所产生的marign，一般按照foundary提供的标准是没有问题的。