基本原理在这里不赘述，不认识的人看书、百度，都有说明。 这篇文章收集资料，学习平时注意不到的现场效果的要点。

向管中加入负偏压UGS后，PN结形成空间电荷区，由于其载流子少，也称为耗尽区。 其性能类似于绝缘体，反偏压越大，耗尽区越宽，沟道电阻越大，电流越小，完全被切断。 由此，可以利用由反向偏压产生的电场来控制n型硅晶片(沟道)中的电流的大小。

注：实际上，沟道的掺杂浓度非常小，导电能力低，因此有数百至数千欧元的导通电阻。 然后是PN结在反向偏压下工作的状态。 刚接通电源时，如果没有加负偏压，此时ID最大。

特点：

1，GS和GD有二极管特性，正向导通，反向电阻大

2 ) ds也因导通特性而阻抗大

3 ) GS在反向偏压的状态下工作。

4 ) ds极其完全对称，相反可以使用。 即，将d设为s，将s设为d。

栅极场效应晶体管MOSFET

结型是电压控制方式，但少子漂移会形成电流。 绝缘栅场效应管由于栅极和基板完全绝缘，因此被称为绝缘栅场效应管。

栅场效应晶体管(MOSFET )分为增强型和耗尽型两种，每种类型有n沟道和p沟道，n沟道也称为PMOS管，p沟道也称为NMOS管。

(基板断裂是指2个n区域没有连接。 如果两者连接在一起，则通过改变通道的宽度来控制电流就是耗尽型)

(基板在内部与源极连接，因此绝缘栅MOSFET的d、s极不能更换。 箭头的方向仍然是基板、s极和d极的PN结方向，栅极没有半导体，只是电容器的极板。 另一方面，结型箭头是栅极向s极和d极的PN结方向。 因此，即使是相同的n通道，结型和绝缘栅型的箭头方向也相反。 ）

如果UGS较小，则不能形成有效的信道，即使添加了UDS，也不能形成ID。 增加UGS，ID刚出现时，对应的UGS称为导通电压，用ugs(th )或UT表示。

n沟道扩展型MOSFET的特性曲线

介绍了栅极源极电压UGS对漏极电流ID的控制关系，可以用该关系式表示，该特性曲线称为转移特性曲线。

转变特性曲线的斜率gm反映了栅极源极电压对漏极电流的控制作用。 gm被称为跨导。 这是场效应晶体管的重要参数。

漏极输出特性曲线

美国通用汽车公司； 在ugs(th )中，固定为某个值时，将UDS对ID的影响，即id=f(uds ) UGS=const的关系曲线称为漏极输出特性曲线。

晶体管作为放大元件使用时，是在漏极输出特性曲线的水平段动作的恒流区域，从曲线上可知UDS对ID的影响小。 但是，通过改变UGS可以大幅改变漏极电流ID，这意味着输入电压对输出电流的控制作用。

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