东京理科大学（TUS）学者日前在纳米压印技术研究上取得突破，实现了紫外硬化纳米压印（UV-NIL）创建 10 纳米以下分辨率形貌的突破。
UV-NIL 技术由于不需要高温高压条件，是一种备受瞩目的纳米压印技术方向，具有低成本制备媲美光学光刻质量图形的潜力，但此前受制于对光刻胶材料原子尺度特性的理解，难以实现小于 10 纳米分辨率，而 TUS 学者 Tadashi Ando 带领的团队基于对分子动力学模拟，阐明了光刻胶分子成分与压印过程的作用机制，发现并验证了适用于 UV-NIL 工艺的光刻胶材料。
Ando 表示，该团队研究成果可为未来选择与设计优化光刻胶材料提供指导，最终实现 10 纳米以下分辨率 UV-NIL 工艺的实用化。