8 月 19 日，东芯股份在投资者互动平台表示，公司 19nm 先进制程的 NAND Flash 产品已完成了首轮流片，目前正在产品调试的过程中。
东芯股份称，公司在更新工艺方面不断钻研，从 38nm、24nm，再到现在正在开发的 19nm 的工艺。通过更新工艺来为客户带来更具性价比、更高容量的产品。
关于 3D NAND 芯片的研发，东芯股份透露，公司目前聚焦于中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，暂不涉及 3D NAND 业务。
车规级芯片方面，东芯股份表示，车规级存储器产品对产品各项指标都有更高的要求，因此产品认证及导入时间较长，目前相关产品正在积极研发和导入过程中。