7 月 7 日消息，据国外媒体报道，三星电子 6 月 30 日在官网宣布，他们采用全环绕栅极晶体管架构的 3nm 制程工艺，已在当日开始初步生产芯片，先于台积电采用 3nm 工艺代工晶圆。
目前距离三星电子宣布初步生产已有一周的时间，外媒在报道中，也给出了他们 3nm 制程工艺的更多信息。
外媒最新的报道显示，三星电子 3nm 制程工艺的首家客户，将是国内的一家专用集成电路应用公司，不过他们并未披露公司的具体名称。
外媒在报道中还提到，作为三星电子晶圆代工最大客户的高通，也已经预订了 3nm 工艺的产能。消息人士透露，根据两家公司达成的协议，高通是随时都可以要求三星采用这一工艺为他们代工芯片。
不同于 7nm、5nm 等工艺所采用的鳍式场效应晶体管（FinFET）架构，三星电子的 3nm 制程工艺，是率先采用全环绕栅极晶体管架构。三星电子在官网上表示，同 5nm 工艺相比，他们的第一代 3nm 制程工艺所代工的芯片，功耗降低 45%，性能提升 23%，芯片面积减少 16%。
三星电子在晶圆代工领域的竞争对手台积电，目前也在推进 3nm 工艺的量产事宜，他们是计划在今年下半年量产，他们的 3nm 工艺，仍继续采用鳍式场效应晶体管架构。