1 月 25 日，国星光电发布业绩预告称，公司预计 2021 年度实现归属于上市公司股东的净利润约为 19218.17 万元 —21241.14 万元，同比增长 90%—110%，上年同期盈利为 10114.83 万元。
另外，国星光电预计 2021 年度实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润约为 13618.17 万元 —16041.14 万元，同比增长 136.74%—178.86%，上年同期盈利为 5752.48 万元。
关于业绩变动的原因，国星光电表示，报告期内，得益于国家疫情管控得当，LED 行业景气度探底回暖，公司产品订单量较去年同期取得明显增长；另一方面公司强化内部管理，积极开展降本增效工作。围绕生产经营目标与重点工作计划，公司调整产品结构，增加高附加值产品，稳步推进扩产扩能计划。
另外，报告期内国星光电非经常性损益金额区间约为 5,200 万元-5,600 万元，上年同期为 4,362.35 万元。
资料显示，国星光电是集研发、设计、生产和销售中高端半导体发光二极管（LED）及其应用产品于一体的国家高新技术企业，主营业务为研发、生产与销售 LED 器件及组件产品。其深耕电子及 LED 行业 50 余年，产品广泛应用于消费类电子产品、家电产品、计算机、通讯、显示及亮化 产品、通用照明、车灯、杀菌净化、植物照明等领域。
对于第三代半导体的布局，国星光电表示，公司一直高度关注三代半领域的技术发展与技术研究，致力于打造高可靠性、高品质的功率器件封测业务。在上游芯片领域，公司有布局硅基氮化镓的外延芯片；中游封装领域，公司已建成第三代半导体功率器件实验室及试产线；下游应用领域公司也在积极与相关企业洽谈战略性合作，并针对客户的应用需求定制开发样品等。
据了解，国星光电推出的 SiC 功率器件、功率模块和 GaN-DFN 器件 3 大系列第三代半导体新产品，SiC 功率器件可广泛应用于大功率电源、充电桩等工业领域；GaN-DFN 器件可广泛应用于新能源汽车充电、手机快充等；功率模块可广泛应用于各种变频器、逆变器的工业领域。
Micro LED 方面，国星光电发挥子公司国星半导体与本部上下游联动优势，巨量转移工艺取得突破性进展，产品良率高，同时国星半导体已开发了面向于 P0.3 间距及面向 P0.1 间距的 Micro LED 芯片系列，并实现小批量供货给国星光电研究院。