SK 海力士在美组建闪存开发子公司 SK HNA,“挖英特尔墙角”募集工程师提升自家 NAND 竞争力

感谢网友 OC_Formula 的线索投递! 12 月 29 日消息,据外媒 ChosunBiz 报道,SK 海力士日前在美国组建了一家名为 SK HNA(SK hyni … Continue reading SK 海力士在美组建闪存开发子公司 SK HNA,“挖英特尔墙角”募集工程师提升自家 NAND 竞争力

消息称 NAND 闪存需求复苏乏力,三星电子和 SK 海力士下半年考虑继续减产

8 月 21 日消息,近来 NAND 闪存客户需求低迷,早前曾报道,三星电子此前计划停止其位于韩国平泽市 P1 工厂的部分 NAND 闪存生产设备,并令暂停存储芯片第六代 V-NAND 成熟型制程报价 … Continue reading 消息称 NAND 闪存需求复苏乏力,三星电子和 SK 海力士下半年考虑继续减产

消息称带有定制 DRAM 的 R1 芯片使苹果 Vision Pro 头显性能提高了一倍

7 月 11 日消息,据《韩国先驱报》报道,SK 海力士此前被曝出将为苹果公司的新款混合现实(MR)头显 Vision Pro 提供定制的 DRAM,并将是该 DRAM 的唯一供应商。今日有业内人士透 … Continue reading 消息称带有定制 DRAM 的 R1 芯片使苹果 Vision Pro 头显性能提高了一倍

SK 海力士 LPDDR5T 最快内存通过验证,速度可达 9600Mbps

4 月 21 日消息,SK 海力士在今年 1 月份宣布成功开发出全球当前速度最快的移动 DRAM LPDDR5T。现在,楷登电子(Cadence) 宣布与 SK 海力士 9600Mbps LPDDR5 … Continue reading SK 海力士 LPDDR5T 最快内存通过验证,速度可达 9600Mbps

SK 海力士已决定削减明年投资,今年预计投资 10-20 万亿韩元

10 月 26 日消息,据国外媒体报道,正如分析师所预期的一样,在价格和需求双重下滑的影响下,SK 海力士发出了令人失望的三季度财报,营收与利润同比环比均出现下滑,尤其是净利润,同比环比下滑超过 60 … Continue reading SK 海力士已决定削减明年投资,今年预计投资 10-20 万亿韩元

内存供过于求,分析师预计 SK 海力士 Q3 业绩令人失望、Q4 由盈转亏

10 月 21 日消息,据韩国时报,在多重不利因素的影响下,智能手机等电子消费品的需求受到了影响,对存储芯片的需求也就此放缓,价格下滑,存储芯片制造商在业绩方面也在承受压力。 韩国媒体的最新的报道显示 … Continue reading 内存供过于求,分析师预计 SK 海力士 Q3 业绩令人失望、Q4 由盈转亏

SK 海力士介绍 238 层 4D NAND 闪存:传输速度提升 50%,能耗减少 21%

8 月 3 日消息,今天早些时候,SK 海力士官宣全球首发 238 层 512Gb TLC 4D NAND 闪存,将于明年上半年投入量产。现在,SK 海力士官方发文对其最新技术进行了介绍。 据介绍,S … Continue reading SK 海力士介绍 238 层 4D NAND 闪存:传输速度提升 50%,能耗减少 21%

SK 海力士开发出 DDR5 DRAM CXL 存储器,支持 PCIe 5.0 x8 通道

8 月 2 日消息,今天,SK 海力士宣布开发出首款基于 DDR5 DRAM 的 CXL 存储器样品。 了解到,该产品的形状尺寸为 EDSFF(Enterprise & Data Center … Continue reading SK 海力士开发出 DDR5 DRAM CXL 存储器,支持 PCIe 5.0 x8 通道