7 月 1 日消息,据《韩国经济日报》报道,三星电子、SK 海力士分别考虑向韩国产业银行申请 5 万亿和 3 万亿韩元(备注:当前分别约 263.8 / 158.28 亿元人民币)低息贷款,用于业务扩 … Continue reading 消息称三星电子、SK 海力士分别考虑申请5/3万亿韩元低息贷款,扩张运营
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韩非专利实施主体首度起诉美半导体企业,Mimir IP 向美光索赔 4.8 亿美元
6 月 17 日消息,据韩媒 Businesskorea 报道,韩国专利管理企业 Mimir IP 于 6 月 3 日在美向存储巨头美光发起诉讼,索赔 4.8 亿美元(备注:当前约 34.92 亿元人 … Continue reading 韩非专利实施主体首度起诉美半导体企业,Mimir IP 向美光索赔 4.8 亿美元
韩国科技巨头 SK Inc. 董事长达成 1.38 万亿韩元离婚协议,股价一度飙升 16%
5 月 30 日消息,韩国最大财阀之一 SK Inc.集团董事长 Chey Tae-won 因离婚案被法院判决向妻子 Roh Soh-yeong 支付 1.38 万亿韩元(备注:当前约 73.14 亿 … Continue reading 韩国科技巨头 SK Inc. 董事长达成 1.38 万亿韩元离婚协议,股价一度飙升 16%
消息称 SK 海力士测试东京电子低温蚀刻设备,有望简化闪存生产
5 月 7 日消息,据韩媒 The Elec 报道,SK 海力士正向东京电子(TEL)发送测试晶圆,以测试后者的低温蚀刻设备,有望在未来 NAND 闪存生产中导入。 目前,提升堆叠层数是提升单颗 3D … Continue reading 消息称 SK 海力士测试东京电子低温蚀刻设备,有望简化闪存生产
SK 海力士 CEO 郭鲁正:AI 存储芯片订单爆满,2025 年 HBM 产能基本售罄
感谢网友 Hi_World 的线索投递! 5 月 2 日消息,SK 海力士今日在韩国京畿道利川总部举行了一场以“AI 时代,SK 海力士蓝图和战略”为主题的国内外记者招待会,并公布了面向 AI 的存储 … Continue reading SK 海力士 CEO 郭鲁正:AI 存储芯片订单爆满,2025 年 HBM 产能基本售罄
SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存量产
4 月 9 日消息,据韩媒 Businesskorea 报道,SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存的量产。 进入 20~10nm 制程后,一般以 1 + 字母的形式称呼 … Continue reading SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存量产
SK海力士回应“拟投资40亿美元在美建芯片封装厂”:尚未决定
3 月 27 日消息,《华尔街日报》昨日称,SK 海力士计划投资约 40 亿美元(备注:当前约 289.2 亿元人民币)在美国印第安纳州西拉斐特建造一座先进芯片封装厂,并计划于 2028 年投产。 对 … Continue reading SK海力士回应“拟投资40亿美元在美建芯片封装厂”:尚未决定
韩国计划建设世界最大半导体产业集群 三星和SK海力士将投资622万亿韩元
风君子博客1月16日消息,据外媒报道,周一,韩国宣布了一项计划,即到2047年在首尔南部建设世界上最大的半导体产业集群,旨在巩固其在全球芯片产业中的地位,该计划涉及三星电子和SK海力士的622万亿韩元 … Continue reading 韩国计划建设世界最大半导体产业集群 三星和SK海力士将投资622万亿韩元
SK海力士将升级中国半导体工厂 采用第四代10纳米工艺
据CNMO了解,韩国芯片制造巨头SK海力士正在考虑打破美国对华极紫外(EUV)光刻机出口相关限制,以提升其在中国的半导体工厂的技术水平。这一举动被视为,随着半导体市场的复苏以及中国高性能半导体制造 … Continue reading SK海力士将升级中国半导体工厂 采用第四代10纳米工艺
消息称英伟达已向 SK 海力士、美光支付大笔预付款,确保 HBM3 内存供应无虞
感谢网友 航空先生 的线索投递! 12 月 31 日消息,韩国 Chosun Biz 报道称,除了大量预定台积电产能外,英伟达还斥巨资拿下了 HBM3 内存的供应合同。 消息人士称 … Continue reading 消息称英伟达已向 SK 海力士、美光支付大笔预付款,确保 HBM3 内存供应无虞