10 月 17 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道，SK 海力士正缩减 CIS （注：即 CMOS 图像传感器）等次要业务规模，全力聚焦高利润产品 HBM 以及 CXL 内存、P … Continue reading 消息称 SK 海力士收缩 CIS 业务规模，全力聚焦 HBM 等高利润产品
消息称 SK 海力士收缩 CIS 业务规模，全力聚焦 HBM 等高利润产品
标签： SK海力士
逆袭成功？SK海力士三季度销售额有望首次超越英特尔
【CNMO科技消息】9月18日，市场分析权威机构Omdia最新发布的报告指出，韩国顶尖芯片制造商SK海力士（SK hynix）预计将在第三季度实现销售额的历史性突破，首次超越美国半导体巨头英特尔公 … Continue reading 逆袭成功？SK海力士三季度销售额有望首次超越英特尔
SK 海力士：HBM 内存基础裸片支持定制，SSD 主控也将导入芯粒技术
9 月 4 日消息，据台媒 TechNews 报道，SK 海力士资深副总裁兼封装开发副社长李康旭（Lee Kang-wook）昨日在异质整合国际高峰论坛上表示，HBM 内存的“客制化”关键在于基础裸片 … Continue reading SK 海力士：HBM 内存基础裸片支持定制，SSD 主控也将导入芯粒技术
SK 海力士确认 1c nm 工艺将用于 HBM、LPDDR6、GDDR7 等 DRAM 内存产品
8 月 29 日消息，SK 海力士今日宣布在业界率先成功开发第六代 10 纳米级（1c nm）DDR5 DRAM 内存的同时，也表示 1c nm 工艺将用于多款其它 DRAM 内存产品。 SK 海力士 … Continue reading SK 海力士确认 1c nm 工艺将用于 HBM、LPDDR6、GDDR7 等 DRAM 内存产品
仍基于 1b nm DRAM，消息称 SK 海力士年内先后流片英伟达、AMD 用 HBM4 内存
8 月 26 日消息，韩媒 ZDNet Korea 报道称，SK 海力士将于 2024 年内先后流片为英伟达和 AMD 两大客户开发的 HBM4 内存。 消息人士向韩媒表示，SK 海力士已为这两家主要 … Continue reading 仍基于 1b nm DRAM，消息称 SK 海力士年内先后流片英伟达、AMD 用 HBM4 内存
因 HBM3/3E 内存产能挤占，SK 海力士 DDR5 被曝涨价 15~20%
感谢网友 我抢了台、Hi_World 的线索投递！ 8 月 13 日消息，华尔街见闻报道称，SK 海力士已将其 DDR5 DRAM 芯片提价 15%-20%。供应链人士称，海力士 DDR5 涨价主要是 … Continue reading 因 HBM3/3E 内存产能挤占，SK 海力士 DDR5 被曝涨价 15~20%
SK 海力士美国先进封装生产基地获美政府至多 4.5 亿美元直接补贴和 5 亿美元贷款
8 月 6 日消息，SK 海力士与美国商务部双方已签署了一份不具约束力的初步备忘录。SK 海力士的美国先进封装厂将获得至多 4.5 亿美元（备注：当前约 32.11 亿元人民币）直接补贴和 5 亿美元 … Continue reading SK 海力士美国先进封装生产基地获美政府至多 4.5 亿美元直接补贴和 5 亿美元贷款
消息称 SK 海力士进军 2.5D 先进封装硅中介层，提升 HBM 内存整体竞争力
7 月 17 日消息，韩媒 Money Today 报道称，SK 海力士与 OSAT（半导体封装与测试外包）巨头 Amkor 进行了硅中介层（注：Si Interposer）合作的协商。 SK 海力士 … Continue reading 消息称 SK 海力士进军 2.5D 先进封装硅中介层，提升 HBM 内存整体竞争力
业务不顺人心思变，消息称部分三星电子员工考虑转投SK海力士
7 月 15 日消息，据英媒《金融时报》报道，三星正面临多重内部危机：除韩国全国三星电子工会领导的大规模罢工外，还有部分三星电子员工考虑转投 SK 海力士。 一位匿名的三星电子芯片工程师向英媒表示，即 … Continue reading 业务不顺人心思变，消息称部分三星电子员工考虑转投SK海力士
SK 海力士：HBM 内存复合年增长率高达 70%，未来低价后有望进入消费级设备
7 月 5 日消息，据韩媒 ETNews 报道，SK 海力士副总裁兼封装技术开发负责人 Moon Ki-ill 在昨 (4) 日于首尔举办的活动上表示，预计 HBM 内存的复合年增长率（CAGR）将达 … Continue reading SK 海力士：HBM 内存复合年增长率高达 70%，未来低价后有望进入消费级设备