8 月 23 日消息,近来 NAND 闪存客户需求低迷,早前曾报道,三星电子此前计划停止其位于韩国平泽市 P1 工厂的部分 NAND 闪存生产设备,并暂停存储芯片第六代 V-NAND 成熟型制程报价。 … Continue reading 消息称三星电子、SK 海力士等减产 NAND 闪存将“倒逼行业明年迎来涨价”
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SK 海力士拟年内试产 238 层 NAND 闪存
SK 海力士在近日举行的二季度财报电话会议上透露,计划在年内完成 238 层 NAND 试产,并在 2023 年上半年实现量产。 针对美光近期量产 232 层 NAND 的动态,海力士方面表示各家厂商 … Continue reading SK 海力士拟年内试产 238 层 NAND 闪存