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仍基于 1b nm DRAM，消息称 SK 海力士年内先后流片英伟达、AMD 用 HBM4 内存

8 月 26 日消息，韩媒 ZDNet Korea 报道称，SK 海力士将于 2024 年内先后流片为英伟达和 AMD 两大客户开发的 HBM4 内存。 消息人士向韩媒表示，SK 海力士已为这两家主要 … Continue reading 仍基于 1b nm DRAM，消息称 SK 海力士年内先后流片英伟达、AMD 用 HBM4 内存

HBM4 内存标准即将定稿：堆栈通道数较 HBM3 翻倍，初步同意最高 6.4 Gbps 速度

7 月 11 日消息，行业标准制定组织 JEDEC 固态技术协会昨日（7 月 10 日）发布新闻稿，表示 HBM4 标准即将定稿，在更高的带宽、更低的功耗、增加裸晶 / 堆栈性能之外，还进一步提高数据 … Continue reading HBM4 内存标准即将定稿：堆栈通道数较 HBM3 翻倍，初步同意最高 6.4 Gbps 速度