11 月 14 日消息,据韩媒 ETNews 报道,三星电子、SK 海力士、美光均对在下代 HBM4 内存中采用无助焊剂键合(Fluxless Bonding)技术抱有兴趣,正在进行技术准备。 SK … Continue reading 消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合,进一步降低层间间隙
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双方 HBM 合作首度公开,三星电子、台积电正携手开发无缓冲 HBM4 内存
9 月 6 日消息,据《韩国经济日报》报道,台积电生态系统与联盟管理处处长 Dan Kochpatcharin 昨日在台北出席行业活动时表示正同三星电子合作开发无缓冲 HBM4 内存。 这也是三星电子 … Continue reading 双方 HBM 合作首度公开,三星电子、台积电正携手开发无缓冲 HBM4 内存
SK 海力士:HBM 内存基础裸片支持定制,SSD 主控也将导入芯粒技术
9 月 4 日消息,据台媒 TechNews 报道,SK 海力士资深副总裁兼封装开发副社长李康旭(Lee Kang-wook)昨日在异质整合国际高峰论坛上表示,HBM 内存的“客制化”关键在于基础裸片 … Continue reading SK 海力士:HBM 内存基础裸片支持定制,SSD 主控也将导入芯粒技术
积极扩产 HBM 内存与先进封装,消息称美光有意购入友达闲置工厂
8 月 26 日消息,台媒《经济日报》报道称,美光正在台湾地区积极寻觅场地以扩充 HBM 内存与先进封装产能。在与台积电竞购群创南科四厂失败后,美光又看上了另一显示企业友达的闲置厂房。 具体来说,美光 … Continue reading 积极扩产 HBM 内存与先进封装,消息称美光有意购入友达闲置工厂
NEO Semiconductor 发布 HBM 内存技术 3D X-AI ,宣称 AI 处理能力可达现有方案百倍
8 月 6 日消息,NEO Semiconductor 当地时间本月 5 日发布了 3D X-AI 芯片技术,宣称该技术可实现目前 HBM 内存方案百倍的 AI 处理能力,同时功耗也可降低 99%。 … Continue reading NEO Semiconductor 发布 HBM 内存技术 3D X-AI ,宣称 AI 处理能力可达现有方案百倍
消息称 SK 海力士进军 2.5D 先进封装硅中介层,提升 HBM 内存整体竞争力
7 月 17 日消息,韩媒 Money Today 报道称,SK 海力士与 OSAT(半导体封装与测试外包)巨头 Amkor 进行了硅中介层(注:Si Interposer)合作的协商。 SK 海力士 … Continue reading 消息称 SK 海力士进军 2.5D 先进封装硅中介层,提升 HBM 内存整体竞争力
HBM内存严重供不应求!存储龙头扩产激战:产能一抢而空
7月12日消息,随着人工智能技术的飞速发展,作为AI芯片的关键技术支持,高频宽存储器(HBM)成为市场上的新宠,导致HBM内存目前面临严重的供不应求局面。 因此存储器行业的领军企业,包括SK海力士、三 … Continue reading HBM内存严重供不应求!存储龙头扩产激战:产能一抢而空
三星电子:计划在 HBM4 世代为客户开发多样化定制 HBM 内存
7 月 10 日消息,综合韩媒 The Elec 和 ZDNET Korea 报道,三星电子在昨日举行的三星晶圆代工论坛 & SAFE 论坛 2024 韩国首尔场上表示,定制 HBM 预计在 … Continue reading 三星电子:计划在 HBM4 世代为客户开发多样化定制 HBM 内存
SK 海力士:HBM 内存复合年增长率高达 70%,未来低价后有望进入消费级设备
7 月 5 日消息,据韩媒 ETNews 报道,SK 海力士副总裁兼封装技术开发负责人 Moon Ki-ill 在昨 (4) 日于首尔举办的活动上表示,预计 HBM 内存的复合年增长率(CAGR)将达 … Continue reading SK 海力士:HBM 内存复合年增长率高达 70%,未来低价后有望进入消费级设备
结合 N12FFC+ 和 N5 工艺,台积电已着手准备 HBM4 基础 Dies
5 月 17 日消息,台积电近日出席本周举办的 2024 欧洲技术研讨会,展示使用 12FFC+(12 纳米级)和 N5(5 纳米级)工艺技术制造的 HBM4 基础 Dies,从而提高 HBM4 的性 … Continue reading 结合 N12FFC+ 和 N5 工艺,台积电已着手准备 HBM4 基础 Dies