11 月 6 日消息，TrendForce 今日发布最新研报，称 DRAM 产业经过了 2024 年前三季度的去库存化和价格回升，预计第四季度的涨价势头将有所减弱。 由于部分厂商在今年尝到甜头后已经展 … Continue reading TrendForce 预测 2025 年 DRAM 产量同比增长 25%，中国厂商发力 LPDDR4x 和 DDR4 领域
TrendForce 预测 2025 年 DRAM 产量同比增长 25%，中国厂商发力 LPDDR4x 和 DDR4 领域
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SK 海力士确认 1c nm 工艺将用于 HBM、LPDDR6、GDDR7 等 DRAM 内存产品
8 月 29 日消息，SK 海力士今日宣布在业界率先成功开发第六代 10 纳米级（1c nm）DDR5 DRAM 内存的同时，也表示 1c nm 工艺将用于多款其它 DRAM 内存产品。 SK 海力士 … Continue reading SK 海力士确认 1c nm 工艺将用于 HBM、LPDDR6、GDDR7 等 DRAM 内存产品
TechInsights：3D、4F2 等新结构 DRAM 内存有望于 0C 节点量产
7 月 26 日消息，据韩媒 The Elec 报道，来自分析机构 TechInsights 的 Choi Jeong-dong 博士表示，采用 3D、4F2、VCT（垂直通道晶体管）等创新结构的 D … Continue reading TechInsights：3D、4F2 等新结构 DRAM 内存有望于 0C 节点量产
消息称三星电子曾考虑在美国建设先进 DRAM 内存晶圆厂，最终放弃
4 月 17 日消息，据韩媒 Alphabiz 报道，三星电子方面曾考虑在美国建设先进 DRAM 内存晶圆厂，但最终因为一系列原因转而选择建设先进封装设施。 根据本周初达成的初步协议，三星电子将获得美 … Continue reading 消息称三星电子曾考虑在美国建设先进 DRAM 内存晶圆厂，最终放弃
消息称美光计划二季度针对 DRAM 内存和固态硬盘产品调涨 25%
感谢网友 Diixx、航空先生 的线索投递！ 4 月 9 日消息，据台媒 DIGITIMES 报道，美光计划二季度针对 DRAM 内存和固态硬盘产品调涨 25%。多家存储模组厂已获悉美光方面的调价意向 … Continue reading 消息称美光计划二季度针对 DRAM 内存和固态硬盘产品调涨 25%
SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存量产
4 月 9 日消息，据韩媒 Businesskorea 报道，SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存的量产。 进入 20~10nm 制程后，一般以 1 + 字母的形式称呼 … Continue reading SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存量产
三星计划 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代
4 月 1 日消息，据外媒 Semiconductor Engineering 报道，三星电子在行业会议 Memcon 2024 上表示计划于 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代。 … Continue reading 三星计划 2025 年后在业界率先进入 3D DRAM 内存时代
佰维发布国产 CXL 2.0 DRAM 内存扩展模块：最高容量 96GB，理论带宽 32GB/s
12 月 27 日消息，随着 AI 应用爆发，“内存墙”成为制约计算系统性能的主要因素之一。CXL 建立在 PCIe 的物理和电气接口之上，CXL 内存扩展功能可在服务器中的直连 DIMM 插槽之外实 … Continue reading 佰维发布国产 CXL 2.0 DRAM 内存扩展模块：最高容量 96GB，理论带宽 32GB/s
三季度全球 DRAM 销售额达 132.4 亿美元，连续两个季度环比增长
11 月 30 日消息，据外媒报道，从去年下半年开始，受消费电子产品需求下滑影响，全球存储芯片的需求也明显下滑，三星电子、SK 海力士等主要厂商都受到了影响。 但在削减产量、人工智能领域相关需求增加的 … Continue reading 三季度全球 DRAM 销售额达 132.4 亿美元，连续两个季度环比增长
DRAM合约价格三季度预计保持稳定 厂商正避免大幅下滑
风君子博客7月25日消息，据外媒报道，去年下半年开始的消费电子产品需求下滑，对芯片厂商影响明显，尤其是存储芯片厂商，三星电子、SK海力士等存储芯片大厂都受到了影响。 而在消费电子产品需求未明显好转的大 … Continue reading DRAM合约价格三季度预计保持稳定 厂商正避免大幅下滑