标签： 碳化硅

10 月 23 日消息，一汽红旗昨日宣布，由研发总院新能源开发院功率电子开发部自主设计的碳化硅功率芯片完成首次流片。 ▲ 图源红旗研发新视界获悉，该款碳化硅功率芯片从产品核心指标定义、衬底与外延材料选 … Continue reading 红旗碳化硅功率芯片完成首次流片，实现全链条主导开发

9 月 3 日消息，“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文，报道称国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，打破平面型碳 … Continue reading 我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术：历时 4 年自主研发，打破平面型芯片性能“天花板”

7 月 23 日消息，安森美当地时间昨日宣布，其成为大众 SSP 电动汽车平台主驱逆变器（Traction Inverter）的主要供应商。安森美将为该平台提供基于 SiC 碳化硅技术的完整电源箱解决 … Continue reading 安森美宣布成为大众 SSP 电动汽车平台主驱逆变器主要供应商

  风君子博客5月4日消息，安森美(onsemi)公布了其2023财年第一季度业绩，亮点如下： 第1季度收入19.597亿美元，同比增长1% 第1季度公认会计原则(以下简称“GAAP”)和非 … Continue reading 安森美2023年第一季度收入19.597亿美元同比增长1%

近日，日本佐贺大学教授嘉数教授与精密零部件制造商日本Orbray合作开发出了用金刚石制成的功率半导体，并以1平方厘米875兆瓦（87.5万千瓦）的功率运行。 该功率半导体在已有的金刚石半导体中，输出功 … Continue reading “终极功率半导体”获突破性进展！金刚石有望成为终极半导体材料

12 月 22 日消息，意法半导体 (简称 ST) 和半导体材料设计制造公司 Soitec 宣布了下一阶段的碳化硅 (SiC) 衬底合作计划，由意法半导体在今后 18 个月内完成对 Soitec 碳化 … Continue reading 意法半导体与 Soitec 合作开发碳化硅衬底制造技术：将打造 8 英寸 SiC 晶圆

【网易科技8月24日报道】理想汽车功率半导体研发及生产基地在江苏苏州高新区正式启动建设，主要专注于第三代半导体碳化硅车规功率模块的自主研发及生产。 记者获悉，该生产基地由理想汽车与国内半导体企业湖南三 … Continue reading 快讯｜理想汽车功率半导体研发及生产基地落地苏州 2024年投产

风君子博客8月12日消息，四川省首家专注于宽禁带半导体碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业——成都蓉矽半导体有限公司（以下简称“蓉矽半导体”）顺利完成Pre-A轮融资。本轮融资由维度资本领投，陕西三 … Continue reading 碳化硅功率器件企业蓉矽半导体完成Pre-A轮融资

7 月 28 日消息，据浙江大学杭州国际科创中心发布，近日浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下，成功生长出 … Continue reading 浙江大学杭州国际科创中心 50mm 厚 6 英寸碳化硅单晶生长成功，且晶体质量达到业界水平