标签： 瑞萨电子

感谢网友 OC_Formula 的线索投递！ 1 月 14 日消息，瑞萨电子宣布以每股 5.10 美元、总额 3.39 亿美元（备注：当前约 24.34 亿元人民币）收购美国氮化镓（GaN）功率半导体 … Continue reading 瑞萨电子宣布以 3.39 亿美元收购 Transphorm，拓展氮化镓 GaN 产品布局

风君子博客12月12日消息，全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布推出RA8D1微控制器（MCU）产品群。RA8D1产品群作为瑞萨RA8系列的第二款产品，RA8是基于Arm® Cortex®-M85 … Continue reading 瑞萨电子宣布推出RA8D1微控制器（MCU）产品群

风君子博客9月11日消息，全球高性能服务器厂商英业达与全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布，双方将共同为快速增长的电动汽车（EV）市场设计汽车网关解决方案。针对一级汽车零部件供应商和OEM，两家公 … Continue reading 英业达与瑞萨电子联合开发汽车网关概念验证产品

风君子博客1月31日消息，瑞萨电子近日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功 … Continue reading 瑞萨电子推出新型栅极驱动IC用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET

风君子博客11月30日消息，瑞萨电子近日宣布，推出新款时钟发生器VersaClock® 7。此款具有内部集成晶体版本可选的可编程时钟发生器产品家族，适用于高端运算系统、有线基础设施和数据中心设备中的P … Continue reading 瑞萨电子推出全新可编程时钟发生器VersaClock 7

风君子博客9月28日消息，瑞萨电子今日宣布，推出全新集成开发环境平台，使工程师能够为包含多个硬件设备的汽车ECU（电子控制单元）快速创建软件。这一完整集成环境支持在多个SoC（片上系统）和MCU（微控 … Continue reading 瑞萨推出完整的集成开发环境 无需硬件即可实现ECU级车用软件开发

风君子博客9月2日消息，瑞萨电子宣布推出新一代Si-IGBT（硅基绝缘栅双极晶体管）器件——该产品以更小的尺寸带来更低的功率损耗。针对下一代电动汽车（EVs）逆变器应用，AE5代IGBT产品将于202 … Continue reading 瑞萨电子推出用于电动汽车逆变器的新一代硅基IGBT