编辑:ll SI2302-ASEMI低压N沟道MOS管SI2302 型号:AO3401 品牌:ASEMI 封装:SOT-23 最大漏源电流&#x ...
MOSFET的沟道长度小于3um时发生的短沟道效应较为明显。短沟道效应是由以下五种因素引起的,这五种因素又是由于偏离了理想按比例缩小理论而产生的。 ...
基本原理在这里不赘述,不认识的人看书、百度,都有说明。 这篇文章收集资料,学习平时注意不到的现场效果的要点。 向管中加入负偏压UGS后,PN结形成空间电荷区,由于其载流子少,也称为耗尽区。 ...

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