晶体管 – 第 4 页

超越 3nm，三大晶体管结构方案解读

8 月 13 日消息，随着三星、英特尔、台积电、IBM 等半导体厂商相继发布新晶体管结构的进展，半导体行业正处于晶体管结构转变的前夜。虽然芯片行业从不急于采用新的晶体管结构进行量产，但如果想要生产 … Continue reading 超越 3nm，三大晶体管结构方案解读

7月24日消息，从电脑、手机、汽车到洗衣机、灯柱等，微芯片现在可以说无处不在，不过这还不是真正的“万物互联”。英国芯片设计公司Arm最新发布了名为PlasticARM的新型塑料芯片原型，可以将电路以低 … Continue reading Arm发布低价塑料微芯片原型，致力于”万物互联”

全球目前量产的最先进工艺是5nm，台积电明年就要量产3nm工艺，不过3nm节点他们依然选择FinFET晶体管技术，三星则选择了GAA技术，日前三星也成功流片了3nm GAA芯片，迈出了关键一步。在 … Continue reading 首发GAA晶体管技术三星3nm工艺成功流片

【文/观察者网吕栋编辑/周远方】日前，网传的一份涨价通知函显示，比亚迪半导体向客户发通知，该公司决定从2021年7月1日起对IPM（智能功率模块）、IGBT单管产品（一种功率半导体器件）进行价格 … Continue reading 比亚迪半导体涨价：上游产能紧张涨幅不低于5%

4月27日消息，台积电近期更新了其制程工艺路线图，称其4纳米工艺芯片将在2021年底进入“风险生产”阶段，并于2022年实现量产；3纳米产品预计在2022年下半年投产， 2纳米工艺正在开发中。在产能 … Continue reading 台积电技术路线图：2纳米3纳米工艺将按时推出

2019年9月，半导体企业Cerebras Systems发布了，台积电16nm工艺制造，面积达46225平方毫米，内部集成了1.2万亿个晶体管、40万个AI核心、18GB SRAM缓存，支持9PB/ … Continue reading 2.6万亿晶体管！台积电7nm打造史上第一巨无霸芯片

一些晶圆代工厂仍在基于下一代全能栅极晶体管开发新工艺，包括更先进的高迁移率版本，但是将这些技术投入生产将是困难且昂贵的。 GAA FET将被用于3nm以下，拥有更好的性能，更低的功耗和更低的漏电压。虽 … Continue reading 3nm/2nm晶体管揭秘：难、难、难

来自的消息，该校周鹏团队针对具有重大需求的3-5纳米节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2纳米的围栅多桥沟道晶体管（GAA，Gate All Around），实现了高驱动电流和低泄漏 … Continue reading 3nm、5nm关键技术：复旦教授成功验证实现GAA晶体管

Mate 40系列来了，麒麟9000也终于来了！ CPU部分为八核心，包括一个3.13GHz A77大核心、三个2.54GHz A77中核心、四个2.04GHz A55小核心，略微超过骁龙865 Pl … Continue reading 麒麟9000震撼发布！唯一5nm 5G SoC、150亿晶体管举世无双

在先进工艺上台积电依然一骑绝尘。除是全球唯一一家有能力量产5nm芯片的厂商之外，台积电在3nm芯片的工艺亦进展顺利，将在2021年试产，2022年开始量产。而在近日台湾经济日报放出消息，台积电在2n … Continue reading 台积电2nm工艺率先突破三星还追得上吗？