11 月 7 日消息,韩媒《时事周刊 e》(Sisa Journal e)当地时间今日报道称,三星电子第 1、2 代 3nm 工艺(注:即 SF3E-3GAE 与 SF3-3GAP)目前良率分别为 6 … Continue reading 消息称三星 1、2 代 3nm 工艺良率仅 60%、20%,年内恐大面积更换半导体高管
标签: 先进制程
消息称三星电子加速最先进制程投资,2025Q1 建成月产能七千片晶圆 2nm 量产线
10 月 9 日消息,三星电子目前面临先进制程良率低下、订单缺乏的严重危机。但据韩媒 SEDaily 当地时间本月 3 日报道,该企业仍在加速针对 2nm 及以下的最尖端工艺的量产投资,以追赶代工行业 … Continue reading 消息称三星电子加速最先进制程投资,2025Q1 建成月产能七千片晶圆 2nm 量产线
先进制程订单寥寥,消息称三星关闭平泽 P2、P3 工厂三成 4 5 7 nm 产线
9 月 30 日消息,韩媒 ChosunBiz 当地时间 27 日报道称,三星电子大幅度调整其先进制程商业战略,缩减相关运营规模,关闭韩国平泽 P2、P3 工厂 30% 的现有 4 5 7nm 先进制 … Continue reading 先进制程订单寥寥,消息称三星关闭平泽 P2、P3 工厂三成 4 5 7 nm 产线
英特尔详解 Intel 3 工艺:应用更多 EUV 光刻,同功耗频率提升至多 18%
6 月 19 日消息,作为 2024 IEEE VLSI 研讨会活动的一部分,英特尔近日在官网介绍了 Intel 3 工艺节点的技术细节。 Intel 3 是英特尔最后一代 FinFET 晶体管工艺, … Continue reading 英特尔详解 Intel 3 工艺:应用更多 EUV 光刻,同功耗频率提升至多 18%
台积电宣布背面供电版 N2 制程 2025 下半年向客户推出,2026 年量产
4 月 25 日消息,台积电在近日公布的 2023 年报中表示,其背面供电版 N2 制程节点定于 2025 下半年向客户推出,2026 年实现正式量产。 台积电表示其 N2 制程将引入其 GAA 技术 … Continue reading 台积电宣布背面供电版 N2 制程 2025 下半年向客户推出,2026 年量产
三星电子获美国至多 64 亿美元补贴,将在得克萨斯州建设 2nm 晶圆厂
感谢网友 西窗旧事、华南吴彦祖 的线索投递! 4 月 15 日消息,美国政府今日宣布将向三星电子提供至多价值 64 亿美元(备注:当前约 464.64 亿元人民币)的补贴,而三星电子将在得克萨斯州投资 … Continue reading 三星电子获美国至多 64 亿美元补贴,将在得克萨斯州建设 2nm 晶圆厂
绕开先进制程封锁!中国“小芯片”标准草案即将公示
2022 年 3 月,Chiplet 俨然成为巨头拥趸的焦点。 3 月 2 日,英特尔、AMD、Arm、台积电、三星、日月光、高通、微软、谷歌云、Meta 十家巨头联合,发起一项瞄准 chiplet … Continue reading 绕开先进制程封锁!中国“小芯片”标准草案即将公示