SK 海力士:HBM 内存复合年增长率高达 70%,未来低价后有望进入消费级设备

7 月 5 日消息,据韩媒 ETNews 报道,SK 海力士副总裁兼封装技术开发负责人 Moon Ki-ill 在昨 (4) 日于首尔举办的活动上表示,预计 HBM 内存的复合年增长率(CAGR)将达到 70%。

Moon Ki-ill 表示,市场研究机构 TrendForce 集邦咨询曾认为 2021~2027 年 HBM 内存市场的 CAGR 将为 26.4%,但下游客户的需求远远超过了第三方机构的预期

根据以往报道,以 SK 海力士为首的三大 DRAM 企业已基本售罄 2025 年的 HBM 供应。

▲ SK 海力士 HBM3E 内存

Moon Ki-ill 还提到,HBM 目前主要用于 AI 加速器,但未来价格下降后有望渗透到以 PC 和移动设备为代表的消费级市场

AMD 曾在 GCN 架构世代推出过数款搭载 HBM 内存的高端消费级显卡(注:如 RX Vega 64、R9 Fury X 等),但那之后 HBM 就退出了消费级的视野。

Moon Ki-ill 称:“SK 海力士正在为 16 和 20 层堆叠的 HBM 内存生产准备混合键合技术,这将使它们在价格上更具竞争力。”

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