7 月 3 日消息,国内存储芯片企业至讯创新昨日宣布成功量产 512Mb 高可靠性工业级 2D NAND 闪存芯片。
512Mb 的容量使得这款 2D NAND 闪存芯片可同时容纳系统代码和用户数据,为此后的系统代码升级留有足够空间。
至讯创新表示,这款全新的闪存芯片在完全达到工业级性能和可靠性要求的同时,对芯片尺寸做了全面优化,实现了业内同等容量下最小的芯片尺寸,“性价比优势凸显”。
该闪存芯片支持多比特片上 ECC 纠错,拥有至高 10 万次的擦写周期,可在-40~+85℃的温度下工作,满足严苛工业级测试,至讯创新也正在对该芯片对应的车规级版本进行验证。
整理至讯创新近年存储产品发布信息如下:
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2022 年 12 月 13 日:国内首款全自研 19nm 中小容量 2D NAND 闪存开发成功;
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2024 年 1 月 15 日:19nm 2D NAND 闪存全面量产。