6 月 5 日消息，ASML 已经向英特尔交付世界首台商用 High-NA EUV 光刻机并完成安装，英特尔院士马克・菲利普斯（Mark Phillips）确认这台机器将于年内正式启用。
与之形成鲜明对比的是，全世界最大的芯片代工巨头台积电则似乎并不急于加入这场技术竞赛。今年早些时候，台积电在荷兰举行的一次活动被问及是否有计划购买类似机器时明确表示反对。
台积电当时提到，他们在未来几年内都不需要这种高端的 EUV 光刻机，而且价格也实在是过于高昂。之前还有分析师预测，台积电可能要到 2030 年甚至更晚才会采用这项技术。
经过几个月的争议，台积电似乎已经改变观念，至少 ASML 发言人莫妮克・莫尔斯（Monique Mols）称该公司将于今年向台积电交付价值 3.8 亿美元（备注：当前约 27.53 亿元人民币）的 High-NA EUV 光刻机。
她提到，ASML 首席财务官罗杰・达森（Roger Dassen）证实 ASML 的两大客户台积电和英特尔公司将在今年年底前收到 High-NA EUV 光刻机。受此消息影响，ASML 开盘后上涨逾 6%。
英特尔早在 2022 年就宣布已签署合同购买了 5 台这种设备（TWINSCAN NXE:3600D），用于在 2025 年生产 Intel 18A 芯片。
就目前来看，先进光刻技术是衡量芯片制造上限的关键因素，而这种 High-NA 光刻技术有望降低 66% 的尺寸大小。而在芯片制造领域，虽然目前的 3nm、5nm 已经不代表实际栅极宽度，但肯定还是越小越好。
据悉，这款新型 EUV 系统可实现 0.55 数值孔径，与此前配备 0.33 数值孔径透镜的 EUV 系统（TWINSCAN NXE:3400B 和 NXE:3400C）相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化。
ASML 官方曾透露，这种 High-NA 机器将比现有机器大 30%，而之前的机器已经大到难以想象，甚至需要三架波音 747 来装载它们。
台积电此前宣布，其 2nm 节点进展顺利，并计划于 2025 下半年推出 N3X、N2 制程，并将在 2026 下半年量产 N2P 和 A16 制程。
与 3nm 制程节点不同，台积电 2nm 制程将使用 Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，台积电称相比 3nm 工艺会有 10% 到 15% 的性能提升，还可以将功耗降低 25% 到 30%。
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