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5 月 2 日消息，SK 海力士今日在韩国京畿道利川总部举行了一场以“AI 时代，SK 海力士蓝图和战略”为主题的国内外记者招待会，并公布了面向 AI 的存储器技术力及市场现状、韩国清州、龙仁、美国等未来主要生产据点相关的投资计划。
SK 海力士 CEO 郭鲁正表示，虽然目前 AI 需求以数据中心为主，但今后有望迅速扩散到智能手机、PC、汽车等端侧 AI 领域。因此，专门用于 AI 的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增。
他表示，公司具备了 HBM、基于 TSV 的高容量 DRAM、高性能 eSSD 等各产品领域的业界最高技术领导力，今后将通过与全球合作伙伴保持合作提供定制顶级存储器解决方案。
他还透露，公司今年的 HBM 产能已经全部售罄，明年订单也基本售罄。据称，SK 海力士预计在今年 5 月提供世界最高性能的 12 层堆叠 HBM3E 产品的样品，并准备在第三季度开始量产。
SK 海力士预测：进人工智能时代后，全球产生的数据总量预计将从 2014 年的 15ZB（Zetabyte，泽字节）增长到 2030 年的 660ZB。
注：Zetabyte 即泽字节：泽它（Zetta）是表示 10 的 21 次方。ZB 即为 KB、MB、GB、TB、PB、EB 之后的单位，每一个单位以 1000 为倍数增加 (如 1ZB=10 亿 TB)。
SK 海力士表示，面向 AI 的存储器收入比重也将大幅增加。HBM 和高容量 DRAM 模块等面向 AI 的存储器在 2023 年整个存储器市场的占比约为 5%，预计到 2028 年可以达到 61%。
DRAM 方面，SK 海力士正在量产 HBM3E 和 256GB 以上的超高容量模块，世界最高速度的 LPDDR5T 也已实现商用。NAND 方面，SK 海力士也在业界唯一提供基于 QLC 的 60TB 以上 SSD 产品等，维持着世界顶级面相 AI 的存储器供应商地位。不止于此，SK 海力士还在开发进一步改进的新型产品。
据官方介绍，不仅是 HBM4 和 HBM4E、LPDDR6、300TB SSD，SK 海力士同时还在准备 CXL Pooled（池化）存储解决方案、PIM（Processing-In-Memory）等创新的存储器方案。
除此之外，SK 海力士副社长（P&T 担当）崔宇镇还介绍了 HBM 核心技术力量和美国先进封装项目的进展。
他表示，虽然也有 MR-MUF 技术在高层堆叠方面可能会存在瓶颈的意见，但公司已经在使用先进（Advanced）MR-MUF 技术量产 12 层堆叠 HBM3 产品。
据称，MR-MUF 技术与过去的工艺相比，将芯片堆叠压力降低至 6% 的程度，也缩短工序时间，将生产效率提高至 4 倍，散热率提高了 45%；同时 MR-MUF 技术在维持 MR-MUF 优点的同时采用了新的保护材料，得以使散热性能改善 10%。
此外，SK 海力士还计划在 HBM4 也采用先进 MR-MUF 技术，从而实现 16 层堆叠，正在积极研究混合键合（Hybrid bonding）技术。
关于美国投资的内容，SK 海力士在上个月确定在印第安纳州西拉斐特建设面向 AI 的存储器先进封装生产基地，其中印第安纳工厂将从 2028 年下半年开始量产新一代 HBM 等面向 AI 的存储器产品。
SK 海力士副社长（制造和技术担当）金永式还介绍了其韩国清州 M15x 及龙仁半导体集群投资项目的进展。据介绍，M15x 是一座双层晶圆厂，总面积达 6 万 3000 坪，将具备包括 EUV 在内的一站式 HBM 生产工艺。该项目与正在扩大 TSV 工艺生产能力的 M15 相邻，从而最大程度地提高 HBM 生产效率。SK 海力士 M15x 工厂计划在明年 11 月竣工后，从 2026 年第三季度正式投入量产。
对于占地面积达 415 万平方米的龙仁半导体集群，SK 海力士计划依次建造四座工厂，并将引入国内外原材料、零部件和设备企业从而协力发展半导体生态系统。
目前集群用地建设进展顺利，SK 海力士的首座工厂将入驻的第一阶段用地建设工程进展率约为 42%，正在顺利进行中。龙仁集群内 SK 海力士第一座工厂将于 2025 年 3 月开工，预计在 2027 年 5 月竣工。
同时，集群将投入约 9000 亿韩元（备注：当前约 47.16 亿元人民币）建设迷你工厂。这座迷你工厂与实际量产环境相似，原材料、零部件和设备企业可以在此进行试制品验证，将会得到提高技术完成度的最佳解决方案。