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3 月 14 日消息，据韩媒 NEWSIS 报道，三星电子否认了近日路透社的说法，表示并未考虑使用 MR-RUF 方式生产 HBM 内存。
HBM 由多层 DRAM 堆叠而成，目前连接各层 DRAM 的键合工艺主要有两个流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。
MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通过回流焊一次性粘合，然后同时用模塑料填充间隙；而 TC-NCF 中文称热压非导电薄膜，是一种在各 DRAM 层间填充非导电薄膜（NCF）的热压键合方式。
随着 HBM 中 DRAM 层的增加，DRAM 晶圆也需要随之变薄，而整体压力却会进一步增大，因此晶圆翘曲会加剧，SK 海力士的 MR-RUF 路线被部分人士认为能更好解决翘曲问题。
路透社之前援引分析师的话说，三星的 HBM3 内存芯片良率仅有 10~20%，明显低于 SK 海力士的 60~70%，因此三星求变，正考虑向日本企业购买 MR-RUF 所用模塑料。
三星电子表示路透社报道不正确，并回应称：“我们正在利用 NCF 方法制定最佳解决方案。”
业内人士认为，三星在 NCF 材料的研发和扩产上进行了大规模投资，因此目前在 HBM 上无法转向 MR-RUF。据此前报道，三星将在 3DS RDIMM 上进行 MR-RUF 的应用尝试。