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@MAX7456的EEPROM结构解释图！
字符表示~像素的解释：
由上图可知，字符用18*12个像素来处理，每个像素用2bit表示颜色的不同。
复位：复位有两种。
1、
2、
很明显，软件复位需要高电平，而硬件复位则需要低电平。且硬件复位高于软件复位哦！且复位可用STAT[6]查询复位序列是否完成。
@寄存器的说明：
对于怎么去操作这些寄存器及操作的前提条件，请参考手册的p26.
@以下是字符显示区域。NTSC与PAL的分别为：13/16*30.
@DMM 是显示模式存储器，背景控制及反色控制都与这个有关系咯！
@地址CMAH 和 CMAL ：字符存储器字符高低位。
这里要说明的是，高八位是查找NVM中的256字符中的哪一个字符，然后低字节的低6位（高两位不用）用来控制字符的像素组（4pixel）的地址，最后一个WORD就实现了像素控制。如下图示意：
@OSDBL 有工厂设置的不能随意改动的，而STAT可以查询很多状态！包括行和场~
@CMDO 和 DMDO 意思为：字符存储器数据输出寄存器和显示寄存器数据输出寄存器。
@P34—CMM 字符存储模式寄存器，用于控制从NVM中写或者读数据。
@@@@@@@@@p39是应用信息@@@@@@@@@@
以下，说说具体应用咯！
一、向NVM字符存储器写入字符字节的步骤.
1、 写入一个新字符.
1>禁止OSD图像显示: 写入VM0[U1] [3]=0;
2>选择要写入的字符(0-255):CMAH[U2] [7:0]=xxH;
3>选择要写入字符的四个像素(字节)（字节有64个，有用的只有54个）:CMAL[7:0]=xxH[U3] ;
4>设置所选字符的所选像素组(4piexl)的像素值:CMDI[7:0]=xxH;
5>重复34的步骤，直到54字节字符数据装入到镜像RAM中;
6>从镜像RAM写入到NVM的阵列中:CMM[7:0][U4] =1010xxxx;
7>使能OSD图像显示:VM0[3]=1;
8>完成！
2、 修改已有字符。
1>禁止OSD图像显示: 写入VM0[3]=0;
2>选择要修改的字符(0-255):CMAH[7:0]=xxH;
3>将字符数据从NVM读入到镜像RAM中:CMM[7:0]=0101xxxx;[U5]
4>选择要修改的字符中四个像素(字节)（64个，有用的只有54个）:CMAL[7:0]=xxH;
5>读取要修改的四个像素数据字节:读取CMDO[U6] [7:0]=xxH;
6>根据要求修改四像素字节.
7>将修改后的四像素数据字节写回到镜像RAM中:CMDI[7:0]=xxH;
8>重复4~7步骤，直至把所有像素装入到镜像RAM中.
9>从镜像RAM写入到NVM的阵列中:CMM[7:0][U7] =1010xxxx;
10>使能OSD图像显示:VM0[3]=1;
二、从字符存储器读取字符字节.
1>禁止OSD图像显示: 写入VM0[3]=0;
2>选择要读取的字符(0-255):CMAH[7:0]=xxH;
3>将字符数据从NVM读入到镜像RAM中:CMM[7:0]=0101xxxx;
4>选择要读取的字符的4个像素字节: CMAL[7:0]=xxH;
5>读取数据的所选4个像素字节: CMDO[7:0]=xxH;
6>重复4~5步骤，读取4像素数据的其他字节.
7>使能OSD图像显示:VM0[3]=1;
三、显示存储器操作.
以下两个步骤支持对OSD图像的查看，读写显示存储器时不需要这些步骤.
1>使能OSD图像显示:VM0[3]=1;
2>使能自动OSD黑电平控制.:OSDBL[U8] [4]=0;
四、清楚显示存储器步骤.
启动清除显示寄存器:DMM[U9] [2]=1;
五、在8位模式下，写入显示存储器.
向显示存储器写入字符时，8位共工作模式最灵活，这一模式支持为每一字符写入单独的字符属性字节（见表5-p14），这一模式不同于16位工作模式，在16位工作模式下，当写入一个字符时，从DMM[5:3]自动复制器字符属性字节.(图19-p23)
1、选择8位工作模式:DMM[6]=1;
2、向显示存储器写入字符地址字节.
1>写入字符地址字节:DMAH[1]=0;(DMAH – p32)
2>选择MSB:DMAH[0]=x;选择要写入字符数据地址的低位数据[U10] :DMAL[7:0]=xxH;
3>将要写入显示存储器的字符地址字节（CA[7:0]）写入到DMDI[7:0]中(-p32)
3、向显示存储器写入字符属性字节.
1>写入字符属性字节:DMAH[1]=1;
2>选择MSB:DMAH[0]=x;选择要写入字符数据地址的低位数据[U11] :DMAL[7:0]=xxH; 3>将要写入显示存储器的字符属性字节写入到DMDI[7:0]中（p33）
六、在16位模式下，写入显示存储器.
16位工作模式提高了显示存储器刷新率。这是因为，写入一个新字符时，将DMM[5:3]自动复制到字符属性字节，从而把每一个字符SPI写操作的次数由两次降到一次(图19)。在这一模式下，所有写入显示存储器的字符都有相同的属性字节。该模式很有用，因为连续字符通常有相同的属性，该模式不同于8位工作模式，8位工作模式下，当字符地址字节每次写入到显示存储器时，必须写入字符属性字节.
1>选择16位工作模式:DMM[6]=0;
2>设置本地背景控制(LBC)、闪烁（BLK）、反色（INV）属性位，在16位工作模式时，这些设置将应用于写入到显示存储器的所有字符上: DMM[5:3]=xxx;
3>选择要写入字符数据地址的MSB: DMAH[0]=x;选择低位地址，该地址确定字符在显示器上的位置（参考图10）:DMAL[7:0]=xxH;
4>将要写入到显示存储器的字符地址字节（CA[7:0]）写入到DMDI[7:0]中，一并存储这些字节和来自DMM[5:3]的字符属性字节(图12、19);
七、在自动递增模式中，写入显示存储器的步骤。
自动递增模式自动递增每一连续写入字符的字符地址，从而提高了写入显示存储器的速度。在显示器上从左至右，从上而下写字符串时，可采用该模式。这一模式减少了SPI命令的数量（见表5）。
1、8位工作模式时：
1>选择是否写入字符地址字节:DMAH[1]=0;选择是否写入字符属性字节: DMAH[1]=1;
2>自动递增模式下，选择起始地址的MSB:DMAH[0]=x;选择起始地址的低位地址数据(该地址确定首个字符在显示器上的位置（表10/21）): DMAL[7:0]=xx;
3>设置自动递增模式: DMM[0]=1;
4>设置8位工作模式: DMM[6]=1;
5>按特定字符顺序写入CA数据，将文本显示在屏幕上，此为单字节操作。自动递增模式下，自动设置DMDI[7:0]的地址。写操作之后，显示存储器地址自动递增，直至显示存储器地址末尾。
6>结束自动递增模式: 写入 CA = FFH ;
注意：在自动递增模式下不能使用存储在CA[7:0]=FFH的字符。自动递增模式结束前，读操作无效.
2、16位工作模式时:
1>自动递增模式下，选择起始地址的MSB：DMAH[0]=x;选择起始地址的低位地址数
（该地址确定首个字符在显示器上的位置参见表10/21）：DMAL[7:0]=xx;
2>设置自动递增模式：写入DMM[0]=1;
3>设置16位工作模式：DMM[6]=0;
4>设置将应用于所有字符的本地背景控制LBC、闪烁和反色属性位: DMM[5:3]=xxx;
5>按特定字符顺序写入CA数据，将文本显示在屏幕上。这些将同来自DMM[5:3]的字
符属性字节一并存储，请参考图19.此为单字节操作。自动递增模式下，自动设置DMDI[7:0]的地址。写操作之后，显示存储器地址自动递增，直至显示存储器地址末。
6>结束自动递增模式:CA=FFh.
注意：在自动递增模式下，不能使用存储在CA[7:0]=FFh的字符。自动递增模式结束前，
读操作无效.
八、8位模式下读取显示存储器步骤.
1>选择8位工作模式：DMM[6]=1;
2>读取字符地址字节：DMAH[1]=0;或者读取字符属性字节:DMAH[1]=1;
3>选择需要读取数据的地址MSB(图10)：写入DMAH[0];
4>选择需要读取数据地址的MSB以外的低位数据(图10)写入DMAL[7:0];
5>从显示存储器中的所选位置读取数据：读取DMDO[7:0];
九、16位模式下读取显示存储器步骤.
1>选择16位工作模式：写入DMM[6]=0;
2>选择要读取字符数据地址的MSB：DMAH[0]=x;选择地址的低位数据(该地址确定字符在显示器上的位置，参考图10)：DMAL[7:0]=xxH
3>读取DMDO[15:0],从显示存储器中所选位置读取字符地址字节和字符属性字节。第一个数据字节是字符地址(CA[7:0])，第二个字节包含字符属性位（图20）。主要，读取操作时，字符属性字节的位排列不同于写入时的位排列。请参考显示存储器数据输出寄存器(DMDO)部分和图20,了解读取操作时对属性位中位排列说明。
注意：如果内部显示存储器读操作请求和SPI显示存储器操作同时发生，则忽略内部读操作请求，在这段时间内，字符显示可能会瞬时变暗，请参考同步OSD更新部分。
十、同步OSD更新.
如果内部显示存储器读操作请求和SPI显示存储器操作同时发生，字符显示会瞬时变暗。在场消隐间隔期间写入显示存储器可以防止OSD图像瞬时变暗。使用/VSYNC作为主机处理器中断，启动向显示存储器进行写操作以实现这一功能。或者，在写入显示存储器之前，可同步禁止OSD图像，写入之后再同步使能(请参考VM0[3:2])。
十一、具有公共时钟的OSD.
MAX7456提供一个TTL时钟输出（CLKOUT），可驱动另一个MAX7456的CLKIN引脚。使用外部时钟驱动器可驱动两个或者多个MAX7456元件。这种安排可通过一片带有晶振的MAX7456为多个MAX7456元件提供时钟信号，降低系统成本(图25).
[U1]P26,VM1—p27
[U2]P35
[U3]高两位不用
[U4]这一操作存储器忙时约12ms，可以读取STAT[5]确认NVM写过程是否完成.（且这个命令也可以用于读的p34）
[U5]注意这个命令跟另外一个命令不一样哦高四位不一样陪p34.
[U6]P38
[U7]这一操作存储器忙时约12ms，可以读取STAT[5]确认NVM写过程是否完成.（且这个命令也可以用于读的p34）
[U8]P37使能自动OSD黑电平控制.这保证了正确的OSD图像亮度。该寄存器含有4个工厂预设的位[3:0]，不能修改这些位。一次修改第四位时，首先读取OSDBL[7:0]，修改第四位，然后写回更新后的字节
[U9]P29,这一操作常需20us。在清除操作完成前，不能再次写入显示存储器模式寄存器，操作完成后DMM[2]
被自动复位至0；
[U10]该地址确定了字符在显示器上的位置（见图10）
[U11]该地址确定了字符在显示器上的位置（见图10）
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