现在SSD虽然可以通过堆叠Die层数来增大单颗粒容量，但随着层数越多，所需要硅穿孔数目越多，制造难度直线上升，不仅良品率无法保证、生产成本也高，一些拥有深厚技术存储厂商早就开始探索新一代非易失性存储器了。

除了Intel那个未知原理3D XPoint闪存以外，还有大热ReRAM，这是一种以电阻值来记录数据非易失性存储器，具有单位面积容量大、读写速度快特性，而对此研究了好些年Mobiveil联合Crossbar将会推出基于ReRAM技术SSD，为存储市场增添新活力。

ReRAM其实就是一种忆阻器模型，是一种能够描述电荷和磁通之间关系全新元件，也是一种具有记忆功能非线性电阻，不仅可以记忆流经自身电荷数量，也可以通过控制激励源电流或者磁通来改变自身阻值大小，并且这种阻值变化可以在断电下继续保存相当长一段时间。

单一忆阻器其实就是一个长条形器件，拥有三层结构，包含有上下电极和中间开关层，通过电极施加不同电压值就能改变中间特殊结构电阻值，从而达到存储数据功能（电阻值代表0/1或者是更多位数据）。其稳定性非常好，具备了普通闪存颗粒不具备超宽温度耐受值，-40-125℃。一百万次读写周期后，在85℃下数据可以保持10年不消失。

而且这种长条形结构可以很容易地组建成大规模阵列，简单结构使得存储容量、密度远超现有闪存技术，轻松实现TB存储颗粒。

另外由于其结构简单，它主控开发也变得异常简单，现有Mobiveil’s NVMe、PCIe、DDR3/4主控可以很好地适应ReRAM架构。

不过Mobiveil、Crossbar表示ReRAM SSD并不是要革现有SSD名，因为它至少短期内不是民用消费级，而是面向商业应用方案，因为目前来看ReRAM SSD虽然性能指标一流，但制作成本非常高，甚至比NV-DIMMM更为昂贵，就像是Intel傲腾都是在亏本在卖。

所以Mobiveil与Crossbar将ReRAM销售方向、潜在客户都与Intel 3D XPoint闪存硬盘Optane相同，并在积极开发能够平衡价格与性能产品，带动公司继续发展。